Установки ЭПИКВАР применяются в производстве полупроводниковых приборов для эпитаксиального наращивания слоёв в приповерхностной области полупроводниковой подложки.
Полупроводниковые пластины размещаются на стенках графитовой пирамиды. Нагрев ведётся внешним полем индуктора, расположенного внутри пирамиды.
Мощность питающего преобразователя 160 кВт. Мощность, требуемая для поддержания технологического процесса, сильно зависит от качества отражающей способности экранирующего слоя, который нанесён на внутреннюю стенку реакторной камеры. Транзисторный преобразователь частоты ПЕТРА обеспечивает требуемую мощность при использовании экранов различных производителей.
Контроль температуры производится пирометром через окно в кожухе реактора. Управление тех. процессом ведётся с компьютера.
Распределённая микропроцессорная система управления транзисторного преобразователя частоты ПЕТРА обеспечивает надёжность преобразователя и высокую повторяемость технологического процесса.
© НКВП «Петра» 2003-2025
