Успешно введены в эксплуатацию две эпитаксиальные установки типа ЭПИСЭНД ТМ производства АО НИИТМ, г. Зеленоград с транзисторными преобразователями частоты ПЕТРА-0133 мощностью 60 кВт, частотой 22,0 кГц.
Технологические установки предназначены для осаждения сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира. Сфера применения – производство полупроводниковых приборов. Индуктор в таких установках нагревает графитовый подложкодержатель, который вместе с установленными на него подложками находится внутри кварцевой трубы. Через трубу при нагреве пропускают технологические газы.
Обмен данными между микропроцессорной системой управления и транзисторным преобразователем частоты ПЕТРА производится по шине стандарта RS-485.
На этом же предприятии уже применяется более мощная установка ЭПИКВАР ТМ с транзиторным преобразователем частоты ПЕТРА-0132 160 кВт, 8 кГц.
© НКВП «Петра» 2003-2024
